非曝光区的光刻胶由于在曝光时并未发生化学反应，亮面曝光显影设计，在显影时也就不会存在这样的酸碱中和，因此非曝光区的光刻胶被保留下来。经过曝光的正胶是逐渐溶解的，中和反应只在光刻胶的表面进行，因此正胶受显影液的影响相对比较小。进行显影的方式有很多种，广泛使用的方法是喷洒方法。这种显影方式可以分为三个阶段：硅片被置于旋转台 上，亮面曝光显影加工，并且在硅片表面上喷洒显影液；然后硅片将在静止的状态下进行显影；显影完成后，需要经过漂洗，之后再烘干。

蚀刻：蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻利用蚀刻液与铜层反应，蚀去线路板上不需要的铜，得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。

曝光：经光源作用将原始底片上的图像转移到感光底板上。

蚀刻曝光就是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，亮面曝光显影，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

1.五金蚀刻的零件材料的影响：由于材料成分不同，蚀刻率和侧蚀率也不同。

2.零件尺寸大小影响：材料厚度，对蚀刻率和侧蚀率的影响显而易见。

3.生产悬挂方式不同的影响：垂直悬挂和水平悬挂方式不一样，亮面曝光显影服务，导致蚀刻选后及受刻面不一样。

4.腐蚀剂的影响：这个也是显而易见，蚀刻液的能力和反应时间是影响尺寸的因素。

5.五金蚀刻图形设计的影响：对蚀刻设计不同，预留蚀刻面不一样，对应蚀刻条件不一样。

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