图形显影

经过曝光过的盖板进入显影设备，对需要去除的油墨进行化学反应，将不需要留下的地方进行剥离，然后表面清洗和干燥

显影检验良品率和重新工艺处理率随掩膜水平而变。总体上，在掩膜次序中有较宽的特征图形尺寸、较平的表面和较低的密度，所有这些会使掩膜良品率更高。在晶圆到了关键的接触和连线步骤时，重新工艺处理率会有上升趋势。总体上有四类晶圆上的问题适用于显影检验和终检验，标牌曝光显影厂家，如在图案尺寸（关键尺寸测量）上会有偏差；有定位不准的图案；有表面问题如光刻胶的污染、空洞或划伤及污点和其它的表面不规则。


光刻胶的显影和光刻工艺今天小编要跟大家简要介绍关于光刻胶的显影过程和光刻工艺处理的一些相关内容。光刻工艺可用五个指标来衡量其效果：分辨率、灵敏度、套刻对准精度、缺陷率和硅片加工过程处理问题，使用的光刻机也根据不同的曝光原理，分为接触式曝光，接近式曝光和投影式曝光。目前通常采用曝光后立刻烘干方式，即PEB，减少驻波效应带来的影响。


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